[신소재공학] AES, RBS, SIMS, STM
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작성일 23-01-29 21:06
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이와 같이 재료의 표면에서 sputtering되는 원자 혹은 분자들의 대부분은 전기적으로 중성인 neutral들이고 일부는 양이온 혹은 음이온으로 방출이 되는데 이러한 이온들의 질량을 측정(measurement)하여 재료 구성 물질을 분석해 내게 된다된다. 재료의 표면에 입사된 이온 빔의 이온들은 재료의 원자 및 분자들과 충돌하여 수 백 A의 크기의 collision cascade를 형성하는데 표면의 일부는 표면 결합에너지 보다 큰 운동 에너지를 전달 받아 표면 밖으로 방출된다된다.
다.
각종 재료분석기기에 대한 설명 수록
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2차 이온 질량 분석법
순서
1.SIMS 원리
auger
Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS)
SIMS
SIMS는 primary 빔으로 사용되는 이온 건과 sample에서 방출되는 2차 이온의 질량을 측정(measurement)하는 질량 분석기, sample manipulator, 부도체 sample 분석 시 charging을 막기 위한 electron charge neutralier 등으로 구성되어 있고 sputtering되는 neutral 원자나 분자의 post-ionization을 위한 laser가 부착되기도 하는데 이들은 진공 chamber 속에 장착되어 있따
3.SIMS를 이용한 표면 분석
레포트 > 공학,기술계열
2.SIMS의 구조
설명
[신소재공학] AES, RBS, SIMS, STM
각종 재료analysis기기에 대한 설명 수록
SIMS는 수 keV~10keV로 가속된 이온 빔을 재료의 표면에 입시켜 방출되는 2차 이온들의 질량을 측정(measurement)하여 재료 표면을 구성하고 있는 원소 및 분자의 종류 및 양을 분석해내는 표면 분석 장비이다.
